O firmě ELSY spol. s r.o.
Firma ELSY spol. s r.o. (Elektronické Systémy spol. s r.o.) byla založena v roce 1991 pracovníky elektrotechnického
výzkumného ústavu VÚSE Praha v době ukončení jeho činnosti.
V následujících třech letech jsme pro český průmysl dodávali měřicí systémy s odolnosti proti rušení a umožňující izolovaná měření s napětím vyšším než 5kV. Na tyto produkty jsme navázali realizací digitálního měřicího systému s přesností 12-ti bitů, vzorkovací frekvencí do 10MHz a kapacitou paměti řádu MByte na kanál. Růst firmy po tomto období je spojen s úspěšným vývojem a následnými dodávkami podvojných přípojek PP-1 pro SPT TELECOM, a.s., který se stal v letech 1994 - 1998 naším nejvýznamnějším obchodním partnerem.
Od roku 1994 jsme vyráběli sluchátkové dorozumívající soupravy, zkušební mikrotelefony ZM-1 a propalovací přístroje PP-500 a od roku 1995 zajišťujeme servis zařízení pro ochranu sdělovacích kabelů SPT TELECOM,a.s. a dodáváme pro tento účel zařízení ADEL s.pa. Italia a A.D.C.E.F. Francie. Vyvinuli jsme a vyrábíme systém kontrol vstupu (SKV) na komponentech DALLAS a bezkontaktních kartách TIRIS firmy Texas Instruments.
V roce 1997 začíná vývoj signálních generátorů, které od roku 1998 jsou nabízeny na náš trh. Po dobu cca. 5-ti let jsme vyráběli generátor SG30 (1Hz - 30MHz) a do roku 2008 signální generátor SG2000 (100kHz - 2000MHz). Z dalších výrobků vf techniky lze uvést PowerMeter PM4000, Skalární analyzátor NA2000, dále vyráběný modul VCO 1GHz atd.
Kromě těchto výrobků nabízíme napájecí zdroje v řadě 13,8V/A, 4A, 10A popř.24V/1A, 4A, 10A
Pro firmu Vágner pool jsme vyvinuli a dodáváme analogové a digitální regulátory teplot.
Z obchodní činnosti vyjma dodávek pro SPT TELECOM,a.s., firma ELSY spol. s r.o. zastupuje pro Českou a Slovenskou republiku německou firmu NEOSID GmbH - výrobce feritů, sděl.cívek a helixových filtrů ,časopis UKW Berichte včetně dodávek modulů a tištěných spojů, výrobce vysokofrekvenčních konektorů Telegärtner GmbM a výrobce komponentů pro vf techniku MCL (Mini-Circuits-Laboraties), a VF integrovaných obvodů Hittite.